规格书 |
BCW65(A,C)LT1 |
文档 |
Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 19/May/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 800mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 700mV @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 20nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 100mA, 1V |
功率 - 最大 | 225mW |
频率转换 | 100MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SOT-23 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 32 V |
集电极最大直流电流 | 0.8 A |
最小直流电流增益 | 35@100uA@10V|75@10mA@1V|100@100mA@1V|35@500mA@2V |
最大工作频率 | 100(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.7(Typ)@50mA@500mA|0.3(Typ)@10mA@100mA V |
最大集电极基极电压 | 60 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 300 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Cut Tape |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 0.8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-23 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 300 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 60 |
供应商封装形式 | SOT-23 |
最大集电极发射极电压 | 32 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 800mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 700mV @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 20nA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V |
供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
功率 - 最大 | 225mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BCW65ALT1GOSCT |
类别 | General Purpose |
配置 | Single |
外形尺寸 | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
身高 | 1.11mm |
长度 | 3.04mm |
最大的基射极饱和电压 | 2 V dc |
最大基地发射极电压 | 5 V dc |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | SOT-23 |
宽度 | 2.64mm |
工厂包装数量 | 3000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.7 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 35 at 100 uA at 10 V |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 32 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.8 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.8 A |
集电极 - 基极电压 | 60 V |
集电极 - 发射极电压 | 32 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 100 MHz |
功率耗散 | 0.3 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 35 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 100 MHz |
集电极电流(DC ) | 0.8 A |
直流电流增益 | 35 |
频率 - 跃迁 | 100MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 700mV @ 50mA, 500mA |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA, 1V |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
功率 - 最大值 | 225mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 800mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V |
长度 | 3.04mm |
Board Level Components | Y |
最大直流集电极电流 | 0.8 A |
最高工作温度 | +150 °C |
安装类型 | 表面贴装 |
最低工作温度 | -55 °C |
高度 | 1.11mm |
最大基极-发射极饱和电压 | 2 V 直流 |
最大功率耗散 | 225 mW |
宽度 | 2.64mm |
封装类型 | SOT-23 |
最大集电极-发射极电压 | 32 V |
引脚数目 | 3 |
最小直流电流增益 | 35 |
尺寸 | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
晶体管配置 | 单 |
最大发射极-基极电压 | 5 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大工作频率 | 100 MHz |
最大集电极-基极电压 | 60 V 直流 |
系列 | BCW65AL |
Pd - Power Dissipation | 225 mW |
品牌 | ON Semiconductor |
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